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国家知识产权局披露上海微电子EUV光刻设备发明专利
送交者: UKking1[☆品衔R3☆] 于 2024-09-19 7:53 已读 1252 次  

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中国国家知识产权局于9月10日披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利,内容涉及极紫外辐射(EUV)发生装置及光刻设备,申请者为上海微电子装备(集团)股份有限公司。 6park.com


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EUV光刻技术是一种先进的芯片制造技术,可以在半导体晶圆上绘制极其精细的电路,从而生产出更小、更强大的芯片。这项技术使用极紫外光(EUV)作为光源,比传统光刻技术能实现更高的精度。拥有EUV光刻技术专利意味着掌握了制造7纳米及以下芯片的关键能力。 6park.com


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据相关报道,上海微电子此次披露的专利主要涉及EUV 光源和光刻设备,其中重点的极紫外辐射发生器(光源)主要包括腔体、靶材发生器、激光发生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。 6park.com


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这一消息也引起了德国科技时政类媒体Telepolis的关注。该媒体近日发表报道称,中国在芯片领域正在迎头赶上。
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