| 送交者: 牛员外[♂☆★★★★湖边健走★★★★☆♂] 于 2022-06-04 6:22 已读 11273 次 33 赞 | 牛员外的个人频道 |
众所周知，制造超大规模集成电路需要用到DUV或者EUV曝光设备。最近刚好在网上看到我国在DUV和EUV光源方面竟然有不少研究项目。 6park.com
国内某招生网站部分科研活动的简介 6park.com
其中，用于浸没式DUV曝光设备的光源是60W 6KHz ArF，这种设备可用于7纳米制程工艺。
至于可用于5纳米及更先进制程工艺的EUV曝光设备，我国也早已开展研究。EUV光源功率越高，其曝光极限精度越高，目前第一代EUV光源采用的是液相锡靶，只能产生250W功率，并且难以提高到500W以上，而第二代EUV光源采用的是气相锡靶，能够产生超过1000W功率，可用于1纳米制程工艺。此前某官方机构网站就曾发布公告称，国家计划投资41亿元在2026年底前开发出千瓦级EUV光源。 6park.com
2022年3月30日，《中国科学报》的报道 6park.com
在多数人印象中，我国在晶圆曝光设备方面研究很落后，然而实际却正好相反，如果不依赖其他国家的技术，我国在这方面的技术实力未必会弱于美国。只是因为我国被欧美发达国家通过一系列技术管控措施联合技术封锁，无法引进与光刻机有关的先进技术，一切只能靠自己。然而，经过多年的技术积累，在EUV光源方面我国技术实力雄厚，有能力在短时间内开发出功率达1万瓦的超强EUV光源。
根据网上曝光的资料来看，自从2018年我国某人被某美洲国家扣押后就再也没有更新的论文被曝光，难道是因为这几年我国没有任何技术进展吗？
显然不是，最有可能的是国家立即采取措施，要求所有涉及晶圆曝光技术的研究论文不得公开发表。即便是已有曝光的研究论文也能看出我国的DUV曝光设备开发已经进入尾声，EUV也接近实用化，这跟网络上曾经传言的“可用于11纳米制程工艺的国产DUVi曝光设备将在2021年底前推出，可用于5纳米及更先进制程工艺的EUV曝光将在2023年底前推出”消息正好互相印证！ 6park.com
某技术大牛发表的论文和参与的光源技术研究项目简介 6park.com
综上所述，国产DUV、EUV曝光设备研制工作都已进入尾声，其中DUV曝光设备很可能已经量产。在此提醒大家，即使知道内幕消息，也不要说出来。虽然我们无法为曝光设备研究提供直接帮助，但为国家保守机密就是最大帮助。广大网友也请稍安勿躁，很快就会有好消息，只需静候佳音即可。
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