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鞭牛士 7月24日消息,据国外媒体报道,三星电子6月30日就已在官网宣布,他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺,已在当日开始初步生产芯片。上周也有外媒报道称,三星电子采用3nm工艺代工的首批芯片,已定于7月25日出货。在三星电子的3nm工艺量产、即将出货的情况下,台积电的这一制程工艺在何时量产,也就备受关注。据外媒报道,台积电采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构的3nm制程工艺,将在本月或之后量产,采用全环绕栅极晶体管架构的制程工艺,将在2025年量产。对于3nm制程工艺的量产事宜,台积电CEO魏哲家在本月14日的二季度财报分析师电话会议上,也曾提及。魏哲家当时在会上表示,他们在按计划推进3nm制程工艺,以可观的良品率在下半年量产
鞭牛士 7月24日消息,据国外媒体报道,三星电子6月30日就已在官网宣布,他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺,已在当日开始初步生产芯片。
上周也有外媒报道称,三星电子采用3nm工艺代工的首批芯片,已定于7月25日出货。
在三星电子的3nm工艺量产、即将出货的情况下,台积电的这一制程工艺在何时量产,也就备受关注。
据外媒报道,台积电采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构的3nm制程工艺,将在本月或之后量产,采用全环绕栅极晶体管架构的制程工艺,将在2025年量产。
对于3nm制程工艺的量产事宜,台积电CEO魏哲家在本月14日的二季度财报分析师电话会议上,也曾提及。魏哲家当时在会上表示,他们在按计划推进3nm制程工艺,以可观的良品率在下半年量产
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