虽然目前我们还没有太多关于高通下一代旗舰处理器骁龙830的太多消息，不过似乎高通的下一代快速充电技术更多的细节和特性已经被提前曝光。根据来自Fudzilla的消息称，高通的快速充电4.0技术将成为该公司迄今为止最强大的快速充电解决方案，而该标准的最大充电功率将达到前所未有的28W。

据悉，快速充电4.0的最大充电电压为5V，同时最大电流为5.6A，因此我们将会体验到高达28W的充电功率。同时消息还指出，快速充电4.0还将支持9V/4A的选项，而这将只在同时连接两部智能手机时有效，而最大输出功率也达到了36W，尽管9V/3A看起来是目前对智能手机最合理的选项（还有9V/1.7A），不过高通的快速充电技术已经支持12V最大36W的功率，甚至已经可以为笔记本电脑或高功率移动电源充电。

目前，高通的快速充电3.0对智能手机来说最大充电功率为18W，并且电压从3.2V到20V的范围增量，并且配备了高通的INOV技术。而高通似乎非常想要对这种充电技术保持相对的灵活性，希望能够兼容笔记本电脑等产品使用。而之前的快速充电2.0则同样最大功率为18W，电压范围在5V、9V和12V之间切换。不过相比之下，快速充电3.0与快速充电2.0相比，在存储效率和充电模式上都有所提升。相比之下，OPPO的VOOC技术支持最大20W功率，华为的Super Charge最大为22.5W，而一旦快速充电4.0技术问世后，将处于时间上最高的水平。

看来，目前高通已经找到了一些提升能量转移到电池中的方法，同时不会引起电池过热或损伤，而这也将与更好的INOV技术管理有关。无论如果，快速充电4.0技术将成为一个质的飞跃，能够进一步缩短电池的充电时间。