| 送交者: flying72[♂★★★飞翔的自行车★★★♂] 于 2023-08-30 8:58 已读 9121 次 12 赞 | flying72的个人频道 |
从华为重返5G手机的新闻，想到了一个可能，那就是中国完全可以利用上一代成熟设备，加上改良的芯片设计，弯道超车。6park.com此逻辑的典型代表就是 NAND Flash 内存芯片。 6park.com 6park.com芯片工艺的不断进步，核心目的就是降低元器件之间的距离，增加单位面积内的晶体管数量。 6park.com缩小制程，从10纳米下降到5纳米是一种方式，使用10纳米直接做双层，也可以达到同样效果。 6park.comNAND FLASH的制造商们，已经证实了通过盖高楼的方式增加芯片密度，成本要远比提高制程工艺，高效和成本低。 6park.com之所以NAND FLASH 可以采用盖高楼的方式，主要原因是NAND Flash芯片，各层图案高度一致性。 6park.com其实，除了NAND Flash 之外，还有两种芯片，同样具有类似的图案一致性。那就是GPU，以及最新出现的，AI计算芯片。 6park.comGPU与CPU最主要的区别有两点，1，计算单元相对简单，2，计算单元数量庞大。对GPU来说，动不动上百个计算核心。 6park.comGPU的上百个计算核心又是完全一致的，因此具有了类似NAND flash，通过堆叠（盖楼）实现的基础。 6park.comAI计算芯片，另外一个重要部分，内存，恰好也跟NAND flash类似，内容高度重复。也能通过盖楼来实现。 6park.com因此，原理上来说，我们完全可以用20纳米左右的技术，采用盖高楼的方式，利用低成本，成熟制程设备，取得远超过3nm的芯片密度。 评分完成：已经给 flying72 加上 150 银元！
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